Selon l'invention, une couche mince de semi-conducteur en oxyde est caractérisée en ce que celle-ci est formée d'un oxyde contenant de l'indium et du tungstène, la teneur en tungstène étant de 0,005 à 0,12 selon un rapport atomique W/In, la couche mince de semi-conducteur en oxyde étant configurée uniquement à partir d'une phase en In ...